FQA5N90
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA5N90中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 5.80 A
通道数 1
漏源极电阻 2.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 185 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
额定功率Max 185 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 185W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQA5N90引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA5N90
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA5N90 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 900V 5.8A 2.3Ω | 当前型号 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQA6N90C 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 900V 6A 2.3ohms | 类似代替 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | FQA5N90和FQA6N90C的区别 |