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1N4120、JAN1N4120对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4120 JAN1N4120

描述 SILICON ZENER DIODE LOW NOISE 6.8V THRU 100V 0.25W(1/4W), 5% TOLERANCE硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 --

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 DO-35-2 DO-35

引脚数 - -

耗散功率 250 mW 500 mW

稳压值 30 V 30 V

测试电流 0.25 mA -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -

封装 DO-35-2 DO-35

长度 5.08 mm -

宽度 2.29 mm -

高度 2.29 mm -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant -