JAN1N4120
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JAN1N4120中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
稳压值 30 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
其他
产品生命周期 Obsolete
JAN1N4120引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN1N4120
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N4120 | Microsemi 美高森美 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JAN1N4120
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N4120 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N4120 品牌： Central Semiconductor 封装： DO-35 | 功能相似 | SILICON ZENER DIODE LOW NOISE 6.8V THRU 100V 0.25W1/4W, 5% TOLERANCE | JAN1N4120和1N4120的区别 |
| 型号： 1N4120-1 品牌： Sensitron Semiconductor 封装： | 功能相似 | Zener Single 30V 0.5W1/2W 2Pin | JAN1N4120和1N4120-1的区别 |
| 型号： 1N4120C 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | DO-35 30V 0.25W1/4W | JAN1N4120和1N4120C的区别 |
