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TLC27M7CDR、TLC27M7ID、TS27L2AIDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27M7CDR TLC27M7ID TS27L2AIDT

描述 ?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSCMOS通用运放gp 16v so8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA 45 mA

供电电流 285 µA 285 µA 10 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 65 dB 65dB ~ 91dB 65 dB

转换速率 460 mV/μs 460 mV/μs 40.0 mV/μs

增益频宽积 0.525 MHz 0.525 MHz 0.1 MHz

输入补偿电压 190 µV 190 µV 900 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 1 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.525 MHz - 100 kHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 16V 4V ~ 16V 3V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V 16 V 16 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

耗散功率 0.725 W 725 mW -

输入补偿漂移 1.70 µV/K 1.70 µV/K -

带宽 525 kHz 525 kHz -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.58 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99