STL80N3LLH6、STS15N4LLF5、STL60N32N3LL对比区别

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型号 STL80N3LLH6 STS15N4LLF5 STL60N32N3LL

描述 N沟道 30 V 5.2 mOhm STripFET™ VI DeepGATE™ 功率 MosfetSO N-CH 40V 15ATrans MOSFET N-CH 30V 32A/60A 8Pin Power Flat T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PowerVDFN-8 SOIC-8 PowerVDFN-8

引脚数 8 - 8

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 6.25 mΩ -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 60 W 3 W -

阈值电压 1 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 40 V 30 V

漏源击穿电压 - 40 V -

连续漏极电流(Ids) 80A 15A -

上升时间 30 ns 42 ns -

输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds) 950pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 5.2 ns -

耗散功率(Max) 60W (Tc) 3W (Tc) -

额定功率(Max) 60 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 PowerVDFN-8 SOIC-8 PowerVDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free