STS15N4LLF5中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6.25 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 1570pF @25VVds
下降时间 5.2 ns
耗散功率Max 3W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS15N4LLF5引脚图与封装图
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在线购买STS15N4LLF5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS15N4LLF5 | ST Microelectronics 意法半导体 | SO N-CH 40V 15A | 搜索库存 |
替代型号STS15N4LLF5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STS15N4LLF5 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC-8 N-CH 40V 15A | 当前型号 | SO N-CH 40V 15A | 当前型号 |
| 型号： STL80N3LLH6 品牌： 意法半导体 封装： Power N-CH 30V 80A | 功能相似 | N沟道 30 V 5.2 mOhm STripFET™ VI DeepGATE™ 功率 Mosfet | STS15N4LLF5和STL80N3LLH6的区别 |
| 型号： STL60N32N3LL 品牌： 意法半导体 封装： 8-PowerVDFN | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 30V 32A/60A 8Pin Power Flat T/R | STS15N4LLF5和STL60N32N3LL的区别 |