FDG6301N、SI1902DL-T1-E3、NTJD5121NT1G对比区别

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型号 FDG6301N SI1902DL-T1-E3 NTJD5121NT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6301N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETON SEMICONDUCTOR  NTJD5121NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 4 Ω 0.32 Ω 1 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 300 mW 0.3 W 266 mW

阈值电压 850 mV 1.5 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 25 V 20 V 60 V

漏源击穿电压 25.0 V 20.0 V -

栅源击穿电压 8.00 V ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 220 mA 660 mA 330 mA, 295 mA

上升时间 4.5 ns 16 ns 34 ns

额定功率(Max) 300 mW 270 mW 250 mW

下降时间 3.2 ns 10 ns 32 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.3 W 300 mW 266 mW

正向电压(Max) - - 1.2 V

输入电容(Ciss) 9.5pF @10V(Vds) - 26pF @20V(Vds)

额定电压(DC) 25.0 V - -

额定电流 220 mA - -

输入电容 9.50 pF - -

栅电荷 290 pC - -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363

长度 2 mm - 2.2 mm

宽度 1.25 mm - 1.35 mm

高度 1 mm - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99