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TLV272IDGK、TLV272IDGKG4、TLV272IDGKR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV272IDGK TLV272IDGKG4 TLV272IDGKR

描述 低电压 BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLV272IDGKG4  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.6 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, MSOP, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLV272IDGKR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, VSSOP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSSOP-8 VSSOP-8 VSSOP-8

输出电流 7mA @5V - 13 mA

供电电流 625 µA 625 µA 625 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 250 mW 0.25 W 0.25 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

转换速率 2.10 V/μs 2.10 V/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 250 mW - 250 mW

共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB

电源电压(Max) 16 V 16 V 16 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

电源电压 2.7V ~ 16V - -

电源电压(DC) - 16.0 V -

长度 3 mm 3 mm 3 mm

宽度 3 mm 3 mm 3 mm

高度 0.97 mm 0.97 mm 0.95 mm

封装 VSSOP-8 VSSOP-8 VSSOP-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15