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BAS116E6327HTSA1、BAS116LT1G、BAS116对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS116E6327HTSA1 BAS116LT1G BAS116

描述 Infineon 二极管 BAS116E6327HTSA1 低泄漏, Io=250mA, Vrev=80V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  BAS116LT1G.  小信号二极管NXP  BAS116  二极管 小信号, 单, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管小信号二极管小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 3 3 3

反向恢复时间 1.5 µs 3 µs 3 µs

正向电流 250 mA 200 mA 215 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 4.5 A 500 mA 4 A

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1.25 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) 80.0 V 75.0 V -

额定电流 250 mA 200 mA -

电容 - 2.00 pF -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电流 ≤250 mA ≤200 mA -

正向电压 1.25 V 1.25V @150mA -

极性 Standard Standard -

耗散功率 370 mW 225 mW -

热阻 - 417℃/W (RθJA) -

正向电流(Max) 250 mA 200 mA -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) 370 mW 300 mW -

击穿电压 75.0 V - -

工作结温 150℃ (Max) - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 1 mm 0.94 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -