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MMS8550-L-TP、S8550-C-AP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMS8550-L-TP S8550-C-AP

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORTrans GP BJT PNP 25V 0.5A 3Pin TO-92 Ammo

数据手册 --

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Micro Commercial Components (美微科)

分类

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92

安装方式 Surface Mount -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 625 mW

耗散功率 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V -

最小电流放大倍数(hFE) 120 @50mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) 350 -

额定功率(Max) 300 mW -

封装 SOT-23-3 TO-92

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -