MMS8550-L-TP
数据手册.pdfMicro Commercial Components(美微科)
电子元器件分类
MMS8550-L-TP中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 120 @50mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 350
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMS8550-L-TP引脚图与封装图
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在线购买MMS8550-L-TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMS8550-L-TP | Micro Commercial Components 美微科 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号MMS8550-L-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMS8550-L-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： S8550-C-AP 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 3Pin TO-92 Ammo | MMS8550-L-TP和S8550-C-AP的区别 |