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DN2535N3-G、DN2535N5-G、DN2535N3-G-P013对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DN2535N3-G DN2535N5-G DN2535N3-G-P013

描述 MICROCHIP  DN2535N3-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 VTrans MOSFET N-CH 350V 0.5A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 350V 0.12A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Supertex (超科) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-220 TO-92-3

额定功率 1 W 15 W -

漏源极电阻 17 Ω 25.0 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 1 W 15 W 1W (Tc)

漏源击穿电压 - 350 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 0.12A 500 mA -

漏源极电压(Vds) 350 V - 350 V

上升时间 - - 15 ns

输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) - 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1 W

下降时间 - - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) - 1W (Tc)

针脚数 3 - -

封装 TO-226-3 TO-220 TO-92-3

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 8541900000 -