DN2535N5-G
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Supertex
超科
分立器件
DN2535N5-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 15 W
漏源极电阻 25.0 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 15 W
漏源击穿电压 350 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541900000
DN2535N5-G引脚图与封装图
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在线购买DN2535N5-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DN2535N5-G | Supertex 超科 | Trans MOSFET N-CH 350V 0.5A 3Pin3+Tab TO-220 | 搜索库存 |
替代型号DN2535N5-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DN2535N5-G 品牌： Supertex 超科 封装： TO-220 N-Channel 500mA 25ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 350V 0.5A 3Pin3+Tab TO-220 | 当前型号 |
| 型号： DN2535N5 品牌： 超科 封装： TO-220 N-Channel 500mA 25ohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 350V 0.5A 3Pin3+Tab TO-220 | DN2535N5-G和DN2535N5的区别 |
| 型号： DN2535N3-G 品牌： 微芯 封装： TO-92-3 N-Channel 350V 0.12A | 功能相似 | MICROCHIP DN2535N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 V | DN2535N5-G和DN2535N3-G的区别 |