STB3NK60ZT4、STB9NK60ZT4、IRFBC20SPBF对比区别

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型号 STB3NK60ZT4 STB9NK60ZT4 IRFBC20SPBF

描述 MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STB9NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 VMOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 2.40 A 7.00 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 3.3 Ω 0.85 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 45 W 125 W 3.1W (Ta), 50W (Tc)

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.20 A 7.00 A -

上升时间 14 ns 17 ns -

输入电容(Ciss) 311pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 125 W -

下降时间 14 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 45W (Tc) 125W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 10.75 mm 10.4 mm -

宽度 10.4 mm 9.35 mm -

高度 4.6 mm 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -