锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
STB3NK60ZT4

STB3NK60ZT4

数据手册.pdf

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STB3NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 600 V 3.6 Ω 11.8 nC SuperMESH™Power Mosfet - TO-263


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB3NK60ZT4  Power MOSFET, N Channel, 1.2 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET


STB3NK60ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 2.40 A

针脚数 3

漏源极电阻 3.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.20 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 311pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB3NK60ZT4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STB3NK60ZT4
型号 制造商 描述 购买
STB3NK60ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STB3NK60ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB3NK60ZT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 600V 1.2A 3.6ohms

当前型号

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STB9NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 7A 950mohms

类似代替

STMICROELECTRONICS  STB9NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V

STB3NK60ZT4和STB9NK60ZT4的区别

型号： STB4NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 2A 2Ω

类似代替

STMICROELECTRONICS  STB4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V

STB3NK60ZT4和STB4NK60ZT4的区别

型号： STB14NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： D2PAK N-Channel 600V 13.5A 500mΩ

类似代替

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STB3NK60ZT4和STB14NK60ZT4的区别