IRF6635、IRF6635PBF、IRF6635TRPBF对比区别

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型号 IRF6635 IRF6635PBF IRF6635TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 30V 32ADirect-FET N-CH 30V 32ASingle N-Channel 30V 2.8W 47NC SMT Power Mosfet - DirectFETIsometric MX

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-3

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 32.0 A - 32.0 A

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.8W (Ta), 89W (Tc) - 89.0 W

产品系列 IRF6635 - IRF6635

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A 32A 25.0 A, 32.0 mA

上升时间 13.0 ns - 13.0 ns

输入电容(Ciss) 5970pF @15V(Vds) - 5970pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) - -

输入电容 - - 5.97 nF

栅电荷 - - 71.0 nC

额定功率(Max) - - 2.8 W

封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active End of Life Active

包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free