IRF6635

Infineon(英飞凌) 分立器件

Direct-FET N-CH 30V 32A

N-Channel 30V 32A Ta, 180A Tc 2.8W Ta, 89W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MX

得捷:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

IRF6635中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 32.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 2.8W Ta, 89W Tc

产品系列 IRF6635

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 13.0 ns

输入电容Ciss 5970pF @15VVds

耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF6635引脚图与封装图

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替代型号IRF6635

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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