IPD30N06S2-15、IPD30N06S215ATMA2、SPD30N06S2-15对比区别

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型号 IPD30N06S2-15 IPD30N06S215ATMA2 SPD30N06S2-15

描述 INFINEON  IPD30N06S2-15  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0113 ohm, 10 V, 3 VIPD30N06S215ATMA2 袋装的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0113 Ω 0.0113 Ω -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 136 W 136 W 136W (Tc)

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 30A 30A 30.0 A

上升时间 28 ns 28 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1485pF @25V(Vds) 1485pF @25V(Vds) 2070pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 136 W - 136 W

下降时间 19 ns 19 ns 19 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc)

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 30.0 A

输入电容 - - 2.07 nF

栅电荷 - - 52.0 nC

长度 6.5 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.3 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -