SPD30N06S2-15
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPD30N06S2-15中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 30.0 A
极性 N-CH
耗散功率 136W Tc
输入电容 2.07 nF
栅电荷 52.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2070pF @25VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 19 ns
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
SPD30N06S2-15引脚图与封装图
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在线购买SPD30N06S2-15
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPD30N06S2-15 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPD30N06S2-15
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPD30N06S2-15 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 N-CH 55V 30A 2.07nF | 当前型号 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPD30N06S2-15 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 55V 30A | 类似代替 | INFINEON IPD30N06S2-15 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0113 ohm, 10 V, 3 V | SPD30N06S2-15和IPD30N06S2-15的区别 |