FDB8030L、STB80NF03L-04T4、IPB034N03LGATMA1对比区别

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型号 FDB8030L STB80NF03L-04T4 IPB034N03LGATMA1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8030L  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 1.5 VN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETINFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 80.0 A 80.0 A -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0031 Ω 4.00 mΩ 0.0028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 187 W 300 W 94 W

阈值电压 1.5 V - 1 V

输入电容 10.5 nF 5500 pF -

栅电荷 120 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A

上升时间 185 ns 270 ns 6.4 ns

输入电容(Ciss) 10500pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 4000pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 187 W 300 W -

下降时间 200 ns 95 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 187W (Tc) 300W (Tc) 94 W

通道数 - 1 -

额定功率 - - 94 W

长度 10.97 mm - 10.31 mm

宽度 9.65 mm 9.35 mm 9.45 mm

高度 4.83 mm - 4.57 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -