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IRG7PH42UDPBF、NGTB40N120FLWG、NGTB40N120IHLWG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG7PH42UDPBF NGTB40N120FLWG NGTB40N120IHLWG

描述 INFINEON  IRG7PH42UDPBF  单晶体管, IGBT, 85 A, 1.7 V, 320 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚IGBT 分立,On Semiconductor### IGBT 分立,On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。ON SEMICONDUCTOR  NGTB40N120IHLWG  单晶体管, IGBT, 80 A, 1.9 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 3 3 3

耗散功率 320 W 260 W 260 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 1200 V

额定功率(Max) 320 W 260 W 260 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 320 W 260 W 260 W

额定功率 320 W - -

反向恢复时间 153 ns 200 ns -

长度 15.87 mm 16.26 mm 16.26 mm

宽度 5.31 mm 5.3 mm 5.3 mm

高度 20.7 mm 21.08 mm 21.08 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99