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IRG7PH42UDPBF

IRG7PH42UDPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IRG7PH42UDPBF  单晶体管, IGBT, 85 A, 1.7 V, 320 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

Co-Pack IGBT 超过 21A,

Infineon 的隔离栅极双极 IGBT 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置


得捷:
IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC


立创商城:
IRG7PH42UDPBF


欧时:
### Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 IGBT 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。


e络盟:
INFINEON  IRG7PH42UDPBF  单晶体管, IGBT, 85 A, 1.7 V, 320 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 85A 320000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 85A 320000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube


TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 85A; 320W; TO247-3


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 85A 320000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube


儒卓力:
**IGBT-TO-274 **


IRG7PH42UDPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 320 W

针脚数 3

耗散功率 320 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 153 ns

额定功率Max 320 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 320 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Welding

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRG7PH42UDPBF引脚图与封装图
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在线购买IRG7PH42UDPBF
型号 制造商 描述 购买
IRG7PH42UDPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRG7PH42UDPBF  单晶体管, IGBT, 85 A, 1.7 V, 320 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚 搜索库存
替代型号IRG7PH42UDPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRG7PH42UDPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-247AC 320000mW

当前型号

INFINEON  IRG7PH42UDPBF  单晶体管, IGBT, 85 A, 1.7 V, 320 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

当前型号

型号: NGTB40N120FLWG

品牌: 安森美

封装: TO-247-3 260000mW

功能相似

IGBT 分立,On Semiconductor### IGBT 分立,On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IRG7PH42UDPBF和NGTB40N120FLWG的区别

型号: NGTB40N120IHLWG

品牌: 安森美

封装: TO-247-3 260000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NGTB40N120IHLWG  单晶体管, IGBT, 80 A, 1.9 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

IRG7PH42UDPBF和NGTB40N120IHLWG的区别