2SD1134、BD710、MJF32CG对比区别
描述 Silicon NPN Triple DiffusedNPN功率晶体管 NPN POWER TRANSISTORSPNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 HITACHI (日立) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - - Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - SFM TO-220-3
频率 - - 3 MHz
额定电压(DC) - - -100 V
额定电流 - - 3.00 A
针脚数 - - 3
极性 - - PNP
耗散功率 - - 2 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 100 V
集电极最大允许电流 - - 3A
最小电流放大倍数(hFE) - - 10 @3A, 4V
额定功率(Max) - - 2 W
直流电流增益(hFE) - - 10
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 2000 mW
长度 - - 10.63 mm
宽度 - - 4.9 mm
高度 - - 16.12 mm
封装 - SFM TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99