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APT6025BVR、APT6025BVRG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6025BVR APT6025BVRG

描述 TO-247 N-CH 600V 25ATrans MOSFET N-CH 600V 25A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-247 TO-247-3

引脚数 - 3

极性 N-CH -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 25A 25.0 A

额定电压(DC) - 600 V

额定电流 - 25.0 A

耗散功率 - 370 W

输入电容 - 5.16 nF

栅电荷 - 275 nC

上升时间 - 12 ns

输入电容(Ciss) - 4300pF @25V(Vds)

下降时间 - 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 370000 mW

封装 TO-247 TO-247-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99