APT6025BVRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT6025BVRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 25.0 A
耗散功率 370 W
输入电容 5.16 nF
栅电荷 275 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 4300pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT6025BVRG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT6025BVRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT6025BVRG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号APT6025BVRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT6025BVRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 600V 25A 5.16nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： IXFH30N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 30A 240mΩ 4nF | 功能相似 | N沟道 600V 30A | APT6025BVRG和IXFH30N60P的区别 |
| 型号： APT6025BVR 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-247 N-CH 600V 25A | APT6025BVRG和APT6025BVR的区别 |