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TLC2262AQD、TLC2262AQDG4、TLC2262AQDRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2262AQD TLC2262AQDG4 TLC2262AQDRG4

描述 高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 425 µA 425 µA 425 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 725 mW 725 mW

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 820 kHz 820 kHz 820 kHz

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs 550 mV/μs

增益频宽积 0.82 MHz 730 kHz 730 kHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

输出电流 ≤50 mA - -

增益带宽 0.82 MHz 730 kHz -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead