STW56NM60N、STW60N65M5、STW55NM60N对比区别

高亮显示差异参数

型号 STW56NM60N STW60N65M5 STW55NM60N

描述 N沟道600 V ， 0.05 I© ， 45 A TO -247 MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 600 V, 0.05 Ω, 45 A TO-247 MDmesh™ II Power MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-247 N-CH 600V 51A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

漏源极电阻 60 mΩ 0.049 Ω -

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 255 W 350W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) - 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 46A 25.5 A

上升时间 - 11 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 4800pF @50V(Vds) 6810pF @100V(Vds) 5800pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 255 W 350 W

下降时间 - 16 ns 70 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 255W (Tc) 350W (Tc)

通道数 1 - -

漏源击穿电压 600 V - -

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -