STW56NM60N中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 60 mΩ
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
漏源击穿电压 600 V
输入电容Ciss 4800pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STW56NM60N引脚图与封装图
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在线购买STW56NM60N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW56NM60N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V ， 0.05 I© ， 45 A TO -247 MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 600 V, 0.05 Ω, 45 A TO-247 MDmesh⢠II Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STW56NM60N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STW56NM60N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-247-3 | 当前型号 | N沟道600 V ， 0.05 I© ， 45 A TO -247 MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 600 V, 0.05 Ω, 45 A TO-247 MDmesh⢠II Power MOSFET | 当前型号 |
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