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MCP14E10-E/P、UCC27524P、MCP14E11-E/P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP14E10-E/P UCC27524P MCP14E11-E/P

描述 MICROCHIP  MCP14E10-E/P  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 3A输出, 45ns延迟, DIP-8TEXAS INSTRUMENTS  UCC27524P  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 6ns延迟, DIP-8MICROCHIP  MCP14E11-E/P  功率驱动器, MOSFET, 4.5V-18V电源, 3A输出, 75ns延迟, DIP-8

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 DIP-8 PDIP-8

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) 4.50V (min)

上升/下降时间 25 ns 7ns, 6ns 25 ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 8 8 8

上升时间 40ns (Max) 18 ns 40ns (Max)

下降时间 40ns (Max) 10 ns 40ns (Max)

下降时间(Max) 30 ns 10 ns 30 ns

上升时间(Max) 30 ns 18 ns 30 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 140 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V

电源电压(Max) 18 V 18 V 18 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

工作电压 4.5V ~ 18V - 4.5V ~ 18V

输出电流 3 A - 3 A

通道数 2 - 2

耗散功率 1120 mW - 1.12 W

耗散功率(Max) 1120 mW - 1120 mW

长度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm

宽度 7.11 mm 6.6 mm 7.11 mm

高度 4.95 mm 4.57 mm 4.95 mm

封装 PDIP-8 DIP-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 140℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -