BSM25GD120DN2、MG25Q6ES42、BSM25GD120DN2E3224对比区别

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型号 BSM25GD120DN2 MG25Q6ES42 BSM25GD120DN2E3224

描述 INFINEON  BSM25GD120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACKN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole - Screw

引脚数 17 - -

封装 EconoPACK - EconoPACK2-2

针脚数 17 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 200 W - 200 W

工作温度(Max) 125 ℃ - 150 ℃

耗散功率(Max) 200 W - -

工作温度(Min) - - -40 ℃

长度 107.5 mm - -

宽度 45 mm - 45 mm

高度 17 mm - -

封装 EconoPACK - EconoPACK2-2

产品生命周期 Not Recommended for New Design Obsolete Obsolete

包装方式 - - Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99