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BSM25GD120DN2E3224

BSM25GD120DN2E3224

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
BSM25GD120DN2E3224中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Screw

封装 EconoPACK2-2

外形尺寸

宽度 45 mm

封装 EconoPACK2-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSM25GD120DN2E3224引脚图与封装图
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在线购买BSM25GD120DN2E3224
型号 制造商 描述 购买
BSM25GD120DN2E3224 Infineon 英飞凌 Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R 搜索库存
替代型号BSM25GD120DN2E3224
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSM25GD120DN2E3224

品牌: Infineon 英飞凌

封装: ECONOPACK

当前型号

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R

当前型号

型号: BSM25GD120DN2

品牌: 英飞凌

封装: EconoPACK 200W

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