IRFH5406TRPBF、SI7850DP-T1-GE3、IRFH5406TR2PBF对比区别

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型号 IRFH5406TRPBF SI7850DP-T1-GE3 IRFH5406TR2PBF

描述 INFINEON  IRFH5406TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.0114 ohm, 10 V, 4 V 新VISHAY  SI7850DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷INFINEON  IRFH5406TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 11.4 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 QFN-8 SOIC QFN-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0114 Ω 0.031 Ω 0.0114 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 46 W 1.8 W 3.6 W

阈值电压 4 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 11A 10.3 A 40.0 A

上升时间 8.7 ns 10 ns 8.7 ns

下降时间 3.5 ns 12 ns 3.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 3.6 W - -

输入电容 1256 pF - -

输入电容(Ciss) 1256pF @25V(Vds) - 1256pF @25V(Vds)

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 46 W - 3.6W (Ta), 46W (Tc)

产品系列 - - IRFH5406

额定功率(Max) - - 3.6 W

封装 QFN-8 SOIC QFN-8

长度 6 mm - -

宽度 5 mm - -

高度 0.85 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -