SI7850DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.031 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 10.3 A
上升时间 10 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI7850DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7850DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7850DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7850DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷 | 搜索库存 |
替代型号SI7850DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7850DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel 60V 10.3A | 当前型号 | VISHAY SI7850DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷 | 当前型号 |
| 型号： IRFH5406TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 11A | 功能相似 | INFINEON IRFH5406TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.0114 ohm, 10 V, 4 V 新 | SI7850DP-T1-GE3和IRFH5406TRPBF的区别 |