6116LA25TPG、IDT6116LA35TP、IDT6116LA35TPG对比区别

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型号 6116LA25TPG IDT6116LA35TP IDT6116LA35TPG

描述 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器CMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位） CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)IC SRAM 16Kbit 35NS 24DIP

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 - -

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

存取时间 25 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

长度 31.75 mm - -

宽度 7.62 mm - -

高度 3.3 mm - -

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

厚度 3.30 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99