IDT6116LA35TP
数据手册.pdf
Integrated Device Technology
艾迪悌
电子元器件分类
IDT6116LA35TP中文资料参数规格
技术参数
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP-24
外形尺寸
封装 DIP-24
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
IDT6116LA35TP引脚图与封装图
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在线购买IDT6116LA35TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDT6116LA35TP | Integrated Device Technology 艾迪悌 | CMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位） CMOS STATIC RAM 16K 2K x 8 BIT | 搜索库存 |
替代型号IDT6116LA35TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDT6116LA35TP 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： DIP | 当前型号 | CMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位） CMOS STATIC RAM 16K 2K x 8 BIT | 当前型号 |
| 型号： 6116LA25TPG 品牌： 艾迪悌 封装： DIP-24 24Pin | 完全替代 | 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 | IDT6116LA35TP和6116LA25TPG的区别 |
| 型号： IDT6116LA35TPGI 品牌： 艾迪悌 封装： DIP | 完全替代 | IC SRAM 16Kbit 35NS 24DIP | IDT6116LA35TP和IDT6116LA35TPGI的区别 |