IRF7205PBF、IRF7205TRPBF、STS5PF30L对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF7205PBF IRF7205TRPBF STS5PF30L

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7205PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC 新INFINEON  IRF7205TRPBF  场效应管, MOSFETP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -5.30 A - -5.00 A

针脚数 8 - -

漏源极电阻 70 mΩ 0.13 Ω 0.045 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7205 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 -30.0 V 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) -4.60 A 4.6A 5.00 A

上升时间 21 ns 21 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 870pF @10V(Vds) 870pF @10V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 71 ns 71 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Tc) 2500 mW

阈值电压 - 3 V 1.6 V

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

额定功率 - 2.5 W -

通道数 - 1 -

输入电容 - 870 pF -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.75 mm 1.25 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17