IRF9910TR、IRF9910TRPBF对比区别

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型号 IRF9910TR IRF9910TRPBF

描述 SOIC N-CH 20V 10A/12AN沟道 20 V 2 W 7.4/15 nC 功率Mosfet 表面贴装 - SOIC-8

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2 W

漏源极电阻 - 0.0183 Ω

极性 N-CH Dual N-Channel

耗散功率 - 2 W

阈值电压 - 2.55 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 10A/12A 10A/12A

输入电容(Ciss) 900pF @10V(Vds) 900pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

长度 - 5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free