IRF9910TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF9910TR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 10A/12A
输入电容Ciss 900pF @10VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF9910TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF9910TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF9910TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N-CH | 当前型号 | SOIC N-CH 20V 10A/12A | 当前型号 |
| 型号： IRF9910TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL Dual N-Channel 20V 10A 12A | 类似代替 | N沟道 20 V 2 W 7.4/15 nC 功率Mosfet 表面贴装 - SOIC-8 | IRF9910TR和IRF9910TRPBF的区别 |