SIRA04DP-T1-GE3、SIRA06DP-T1-GE3对比区别

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型号 SIRA04DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3

描述 N 通道 MOSFET，TrenchFET® Gen IV，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET，TrenchFET® Gen IV，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SO-8 PowerPAKSO-8

漏源极电阻 0.0018 Ω 0.00205 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 27.7 W 62.5 W

阈值电压 1.1 V 1.1 V

输入电容 3595pF @15V 3595pF @15V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V

热阻 4.5℃/W (RθJC) 4.5℃/W (RθJC)

输入电容(Ciss) 3595pF @15V(Vds) 3595pF @15V(Vds)

下降时间 16 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 62.5 W 62.5 W

针脚数 - 8

长度 6.25 mm 6.25 mm

宽度 5.26 mm 5.26 mm

高度 1.12 mm 1.12 mm

封装 SO-8 PowerPAKSO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free