SIRA06DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.00205 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 1.1 V
输入电容 3595pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
热阻 4.5℃/W RθJC
输入电容Ciss 3595pF @15VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.25 mm
宽度 5.26 mm
高度 1.12 mm
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIRA06DP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIRA06DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIRA06DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，TrenchFET® Gen IV，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SIRA06DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIRA06DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel | 当前型号 | N 通道 MOSFET，TrenchFET® Gen IV，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： SIRA04DP-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SO-8 N-Channel | 功能相似 | N 通道 MOSFET，TrenchFET® Gen IV，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | SIRA06DP-T1-GE3和SIRA04DP-T1-GE3的区别 |