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LPV358DRE4、LPV358DRG4、LPV358DE4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LPV358DRE4 LPV358DRG4 LPV358DE4

描述 通用型,低电压,低功耗,轨至轨输出运算放大器 GENERAL-PURPOSE, LOW-VOLTAGE, LOW-POWER,RAIL TO RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSDual, Low-Voltage, Low Power, RRO 8-SOIC -40℃ to 85℃通用型,低电压,低功耗,轨至轨输出运算放大器 GENERAL-PURPOSE, LOW-VOLTAGE, LOW-POWER,RAIL TO RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 15 µA 15 µA 15 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 50 dB 50 dB -

输入补偿漂移 4.00 µV/K 4.00 µV/K 4.00 µV/K

带宽 237 kHz 237 kHz 152 kHz

转换速率 100 mV/μs 100 mV/μs 100 mV/μs

增益频宽积 237 kHz 237 kHz 237 kHz

输入补偿电压 1.5 mV 1.5 mV 1.5 mV

输入偏置电流 2 nA 2 nA 2 nA

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) - 50 dB 50 dB

电源电压(Max) - 5 V 5 V

电源电压(Min) - 2.7 V -

电源电压 - - 2.7V ~ 5V

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15