STF10N62K3、STF5N52U、STF10NM60N对比区别
型号 STF10N62K3 STF5N52U STF10NM60N
描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道525 V， 1.28欧姆， 4.4 A， DPAK ， TO- 220FP ， I2PAK UltraFASTmesh功率MOSFET N-channel 525 V, 1.28 ohm, 4.4 A, DPAK, TO-220FP, I2PAK UltraFASTmesh Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STF10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.68 Ω 1.5 Ω 0.53 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 30 W 25 W 25 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 620 V 525 V 600 V
漏源击穿电压 - 525 V -
连续漏极电流(Ids) - 4.4A -
上升时间 15 ns 13.6 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1250pF @50V(Vds) 529pF @25V(Vds) 540pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 25 W 25 W
下降时间 31 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
针脚数 - - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.4 mm
宽度 4.6 mm - 4.6 mm
高度 16.4 mm - 16.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR -