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BC640TA、BC640TAR、BC640ZL1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC640TA BC640TAR BC640ZL1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC640TA  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 25 hFEPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor高电流晶体管 High Current Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -1.00 A -1.00 A -500 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1 W - 625 mW

增益频宽积 - - 150 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 1 W 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 1 W - 625 mW

频率 50 MHz - -

额定功率 800 mW - -

针脚数 3 - -

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

直流电流增益(hFE) 25 - -

长度 4.58 mm - 5.2 mm

宽度 3.93 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Box Tape Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99