IRF450PBF、JAN2N6770、IRF450对比区别

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型号 IRF450PBF JAN2N6770 IRF450

描述 TO-3 N-CH 500V 12A每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543INFINEON  IRF450..  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-204

引脚数 - 3 2

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 12A 12A -

耗散功率 - 4 W 150 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) 150W (Tc)

额定功率 - - 150 W

针脚数 - - 2

漏源极电阻 - - 0.4 Ω

阈值电压 - - 4 V

上升时间 - - 190 ns

输入电容(Ciss) - - 2700pF @25V(Vds)

下降时间 - - 130 ns

封装 TO-3 TO-3 TO-204

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)