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JAN2N6770

JAN2N6770

数据手册.pdf

每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

This family of 2N6764, 2N6766, 2N6768 and 2N6770 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.  These devices are also available in a thru hole TO-254AA leaded package.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JAN2N6770中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 12A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN2N6770引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JAN2N6770 Microsemi 美高森美 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 搜索库存
替代型号JAN2N6770
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JAN2N6770

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-3 N-CH 500V 12A

当前型号

每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

当前型号

型号： IRF450PBF

品牌： 英飞凌

封装：

类似代替

TO-3 N-CH 500V 12A

JAN2N6770和IRF450PBF的区别

型号： TN2510N8-G

品牌： 微芯

封装： SOT89-3 N-CH 100V 0.73A

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 2 V

JAN2N6770和TN2510N8-G的区别

型号： 2N6770

品牌： Semelab

封装：

功能相似

12A, 500V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3

JAN2N6770和2N6770的区别