DTC124EET1、DTC124EET1G、DDTD123YC-13对比区别

高亮显示差异参数

型号 DTC124EET1 DTC124EET1G DDTD123YC-13

描述 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor NetworkNPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SC-75-3 SC-75-3 -

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN NPN -

耗散功率 200 mW 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 60 60 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) 60 60 -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

长度 1.6 mm 1.65 mm -

宽度 0.8 mm 0.9 mm -

高度 0.75 mm 0.8 mm -

封装 SC-75-3 SC-75-3 -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -