FQP9N25C、STP5NK100Z、FQP8N80C对比区别

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型号 FQP9N25C STP5NK100Z FQP8N80C

描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 430 mΩ 3.7 Ω 1.29 Ω

耗散功率 74 W 125 W 178 W

阈值电压 - 3.75 V 5 V

输入电容 - - 1580 pF

漏源极电压(Vds) 250 V 1 kV 800 V

上升时间 85 ns 7.7 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 1580pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 74 W 125 W 178 W

下降时间 65 ns 19 ns 70 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 74W (Tc) 125W (Tc) 178000 mW

额定电压(DC) 250 V 1.00 kV -

额定电流 8.80 A 3.50 A -

通道数 1 1 -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 250 V 1.00 kV -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.80 A 3.50 A -

额定功率 - 125 W -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.1 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 16.3 mm 9.15 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -