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FESB8GT-E3/81、FESB8GT-E3/45、STTH8R04G-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FESB8GT-E3/81 FESB8GT-E3/45 STTH8R04G-TR

描述 Diode Switching 400V 8A 3Pin(2+Tab) TO-263AB T/RDiode Switching 400V 8A 3Pin(2+Tab) TO-263AB Tube超快恢复二极管 Ultrafast recovery diode

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

负载电流 - - 4 A

正向电压 1.3V @8A 1.3V @8A 1.5 V

热阻 - - 2.5 ℃/W

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 - - 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 120 A

正向电压(Max) 1.3V @8A 1.3V @8A 1.5V @8A

正向电流(Max) - - 8000 mA

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 40 ℃

工作结温 - - 175℃ (Max)

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - - -40℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free