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FESB8GT-E3/81

FESB8GT-E3/81

数据手册.pdf

Diode Switching 400V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R

Diode Standard 400V 8A Surface Mount TO-263AB


得捷:
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB


艾睿:
Diode Switching 400V 8A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


FESB8GT-E3/81中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.3V @8A

反向恢复时间 50 ns

正向电压Max 1.3V @8A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FESB8GT-E3/81引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FESB8GT-E3/81 Vishay Semiconductor 威世 Diode Switching 400V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R 搜索库存
替代型号FESB8GT-E3/81
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FESB8GT-E3/81

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-263-3

当前型号

Diode Switching 400V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R

当前型号

型号: FESB8GTHE3/45

品牌: 威世

封装: TO-263AB

完全替代

Rectifiers 8A 400V 50ns 125A IFSM

FESB8GT-E3/81和FESB8GTHE3/45的区别

型号: FESB8GT-E3/45

品牌: 威世

封装: TO-263-3

完全替代

Diode Switching 400V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB Tube

FESB8GT-E3/81和FESB8GT-E3/45的区别

型号: FESB8GTHE3/81

品牌: 威世

封装: TO-263-3

完全替代

Diode Switching 400V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R

FESB8GT-E3/81和FESB8GTHE3/81的区别