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BC556、BC556ABK、BC556B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC556 BC556ABK BC556B

描述 NPN外延硅晶体管PNP 65V 0.1ATransistor: PNP; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 UTC (友顺) Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-92 TO-92 TO-92

耗散功率 - 500 mW 500 mW

增益频宽积 - 150 MHz 150 MHz

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 110 - -

最大电流放大倍数(hFE) 800 - -

封装 TO-92 TO-92 TO-92

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Box Roll, Tape

最小包装 2000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99